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来源：半导体前线
根据南亚科公告，10月营收79.08亿元新台币，较去年同期成长262.37%；税前净利25.02亿元新台币、年增781.74%；归属母公司业主净利20.39亿元新台币，年增幅更达1006.38%。
全球DRAM价格自8~9月急速拉升，带动南亚科第三季营收187.79亿元新台币，年增130.9%；税前净利20.23亿元新台币，较去年同期大幅成长210.67%；归属母公司净利15.63亿元新台币，年增205.16%，营运已明显脱离谷底、迈入回升循环。
南亚科先前即看好，第3季平均报价（ASP）季增约40%，第4季价格持续走扬，惟各产品线涨幅不一。因内存供不应求，南亚科已启动调整订单配置策略并控制出货，预期明年价格若能维持首季价格即属理想，整体而言，明年价格将呈高档持稳，产业已从谷底回升至健康水平。
以供给面来看，南亚科分析，主要供货商降低DDR4/LPDDR4产出，并将产能持续转至生产HBM、DDR5/LPDDR5，DRAM资本支出主要在先进制程与高阶产品，制造端库存维持在健康水位。
南亚科预期，DDR4短缺预计仍将延续至明年上半年，价格可望维持高档并在第一季后逐步稳定；下半年随着PC与云端升级至DDR5，手机市场升至LPDDR5后，DDR4与LPDDR4需求主要会由消费型应用支撑，占整体DRAM比例降低，需再观察后续供需变化。
机构认为，南亚科第3季以来受惠客户需求急速升温，DDR4价格一路飙涨，尤其三大原厂纷纷将产能转为生产DDR5、HBM4等，不易回头生产DDR4，如今DDR4仍占有整体DRAM市场约20%，在庞大供需缺口带动下，DDR4呈现每月报价调涨态势，助攻南亚科营运。
机构指出，AI服务器需求急速飙升，加上三星、SK海力士、美光三大原厂积极调整产能配置，优先支持DDR5与HBM（HBM3E/HBM4）生产，使传统DDR4供给快速收敛、供需更形紧俏。
各大内存原厂在2025~2026年主力皆投向新世代产品，导致DDR4产能缩减幅度超过预期。
在此背景下，南亚科的市场地位将明显提升。由于公司维持相对高比重的DDR4产能，南亚科在2026年有望跃升为全球最大DDR4供货商之一，市场影响力显著扩大。若2027年后，3DDRAM（3D堆栈内存）顺利导入边缘AI应用，南亚科在产品技术与市场布局上，仍具备进一步上修的空间。
在整体DRAM市况方面，内存市场目前仍处于明显缺货状态，AIServer需求快速成长，预估2026年将占DRAM总需求逼近40%，其中，HBM、GDDR、LPDDR等产品需求同步强劲，进一步压缩传统DRAM的供给空间。
目前南亚科正推动制程升级，以及新厂建置计划。该公司泰山Fab3A正加速导入1C/1D纳米制程；南林科技园区的新厂则预计自2027年起陆续开出产能。
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